MOSFET canal N onsemi 6.3 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-223
- Code commande RS:
- 166-2704
- Référence fabricant:
- FDT439N
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
Désolés, nous ne savons pas quand ce produit sera réapprovisionné.
- Code commande RS:
- 166-2704
- Référence fabricant:
- FDT439N
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 6.3A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | SOT-223 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.072Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 15nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -8V, +8V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 3W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 3.56mm | |
| Longueur | 6.5mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.6mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 6.3A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier SOT-223 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.072Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 15nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -8V, +8V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 3W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 3.56mm | ||
Longueur 6.5mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.6mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor
Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N onsemi 6.3 A 30 V Enrichissement SOT-223
- MOSFET canal N onsemi 7.2 A 30 V Enrichissement SOT-223 NDT451AN
- MOSFET canal N onsemi 850 mA 200 V Enrichissement SOT-223 QFET
- MOSFET canal N onsemi 3 A 60 V Enrichissement SOT-223
- MOSFET canal N onsemi 6.6 A 100 V Enrichissement SOT-223 PowerTrench
- MOSFET canal N onsemi 4 A 60 V Enrichissement SOT-223 NDT
- MOSFET canal N onsemi 5.6 A 100 V Enrichissement SOT-223 PowerTrench
- MOSFET canal N onsemi 2.8 A 150 V Enrichissement SOT-223 PowerTrench