MOSFET canal N onsemi 6.3 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-223
- Code commande RS:
- 166-2704
- Référence fabricant:
- FDT439N
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 166-2704
- Référence fabricant:
- FDT439N
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 6.3A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | SOT-223 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.072Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 3W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -8, +8V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 15nC | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 6.5mm | |
| Largeur | 3.56mm | |
| Hauteur | 1.6mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 6.3A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier SOT-223 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.072Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 3W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -8, +8V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 15nC | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 6.5mm | ||
Largeur 3.56mm | ||
Hauteur 1.6mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor
Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.
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