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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	850mA
	Tension Drain Source maximum Vds	200V
	Type de Boitier	SOT-223
	Série	QFET
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	4
	Résistance Drain Source maximum Rds	1.35Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	4nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20, +20V
	Dissipation de puissance maximum Pd	2.2W
	Tension directe Vf	1.5V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Longueur	6.5mm
	Hauteur	1.6mm
	Normes/homologations	No
	Largeur	3.56mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 850mA
	Tension Drain Source maximum Vds 200V
	Type de Boitier SOT-223
	Série QFET
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 4
	Résistance Drain Source maximum Rds 1.35Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 4nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20, +20V
	Dissipation de puissance maximum Pd 2.2W
	Tension directe Vf 1.5V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Longueur 6.5mm
	Hauteur 1.6mm
	Normes/homologations No
	Largeur 3.56mm
	Standard automobile Non

Transistor MOSFET à canal N QFET®, jusqu'à 5,9 A, Fairchild Semiconductor

Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de Fairchild Semiconductor utilisent une technologie propriétaire avancée pour offrir de meilleures performances d'exploitation pour une large gamme d'applications : alimentations, correction de facteur de puissance, convertisseurs c.c./c.c., écrans plasma, ballasts d'éclairage et contrôle de mouvement.

Ils offrent une réduction des pertes à l'état passant en abaissant la résistance à l'état passant (RDS(on), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie du processus de pointe QFET®, Fairchild peut offrir un meilleure facteur de mérite que les dispositifs MOSFET planaires concurrents.

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

3,25 €

0,65 €/unité

Unité	Prix par unité	le paquet*
5 - 45	0,65 €	3,25 €
50 - 95	0,56 €	2,80 €
100 - 495	0,488 €	2,44 €
500 - 995	0,428 €	2,14 €
1000 +	0,388 €	1,94 €

MOSFET canal N onsemi 850 mA 200 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 QFET

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Transistor MOSFET à canal N QFET®, jusqu'à 5,9 A, Fairchild Semiconductor

Transistors MOSFET, ON Semi

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Options de tarification en gros

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