MOSFET canal N onsemi 1.7 A 100 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 QFET
- Code commande RS:
- 671-1062
- Référence fabricant:
- FQT7N10LTF
- Marque:
- onsemi
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
4,21 €
HT
5,05 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Dernier stock RS
- 30 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- 1 505 unité(s) finale(s) expédiée(s) à partir du 21 octobre 2026
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,842 € | 4,21 € |
| 50 - 95 | 0,724 € | 3,62 € |
| 100 - 495 | 0,632 € | 3,16 € |
| 500 - 995 | 0,552 € | 2,76 € |
| 1000 + | 0,504 € | 2,52 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 671-1062
- Référence fabricant:
- FQT7N10LTF
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 1.7A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | SOT-223 | |
| Série | QFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 350mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 4.6nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 3.56mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.6mm | |
| Longueur | 6.5mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 1.7A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier SOT-223 | ||
Série QFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 350mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 4.6nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 3.56mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.6mm | ||
Longueur 6.5mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET à canal N QFET®, jusqu'à 5,9 A, Fairchild Semiconductor
Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de Fairchild Semiconductor utilisent une technologie propriétaire avancée pour offrir de meilleures performances d'exploitation pour une large gamme d'applications : alimentations, correction de facteur de puissance, convertisseurs c.c./c.c., écrans plasma, ballasts d'éclairage et contrôle de mouvement.
Ils offrent une réduction des pertes à l'état passant en abaissant la résistance à l'état passant (RDS(on), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie du processus de pointe QFET®, Fairchild peut offrir un meilleure facteur de mérite que les dispositifs MOSFET planaires concurrents.
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N onsemi 1.7 A 100 V Enrichissement SOT-223 QFET
- MOSFET canal N onsemi 850 mA 200 V Enrichissement SOT-223 QFET
- MOSFET P onsemi 1 A 100 V Enrichissement SOT-223 QFET
- MOSFET canal N Infineon 1.7 A 100 V Enrichissement SOT-223 SIPMOS AEC-Q101
- MOSFET canal N onsemi 6.3 A 30 V Enrichissement SOT-223
- MOSFET QFET canal N onsemi 9.5 A 200 V Enrichissement TO-220F QFET
- MOSFET canal N onsemi 1.7 A 30 V Enrichissement SOT-23 NDS355
- MOSFET canal N onsemi 1.7 A 20 V Enrichissement SOT-23 PowerTrench