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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	1.7A
	Tension Drain Source maximum Vds	100V
	Série	QFET
	Type de Boitier	SOT-223
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	4
	Résistance Drain Source maximum Rds	350mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Dissipation de puissance maximum Pd	2W
	Tension directe Vf	1.5V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	4.6nC
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Hauteur	1.6mm
	Largeur	3.56mm
	Longueur	6.5mm
	Normes/homologations	No
	Standard automobile	Non

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	Marque onsemi
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 1.7A
	Tension Drain Source maximum Vds 100V
	Série QFET
	Type de Boitier SOT-223
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 4
	Résistance Drain Source maximum Rds 350mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Dissipation de puissance maximum Pd 2W
	Tension directe Vf 1.5V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 4.6nC
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Hauteur 1.6mm
	Largeur 3.56mm
	Longueur 6.5mm
	Normes/homologations No
	Standard automobile Non

Transistor MOSFET à canal N QFET®, jusqu'à 5,9 A, Fairchild Semiconductor

Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de Fairchild Semiconductor utilisent une technologie propriétaire avancée pour offrir de meilleures performances d'exploitation pour une large gamme d'applications : alimentations, correction de facteur de puissance, convertisseurs c.c./c.c., écrans plasma, ballasts d'éclairage et contrôle de mouvement.

Ils offrent une réduction des pertes à l'état passant en abaissant la résistance à l'état passant (RDS(on), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie du processus de pointe QFET®, Fairchild peut offrir un meilleure facteur de mérite que les dispositifs MOSFET planaires concurrents.

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

MOSFET canal N onsemi 1.7 A 100 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 QFET

Transistor MOSFET à canal N QFET®, jusqu'à 5,9 A, Fairchild Semiconductor

Transistors MOSFET, ON Semi

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