MOSFET P onsemi 1 A 100 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 QFET
- Code commande RS:
- 671-1068
- Référence fabricant:
- FQT5P10TF
- Marque:
- onsemi
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- Code commande RS:
- 671-1068
- Référence fabricant:
- FQT5P10TF
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 1A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | SOT-223 | |
| Série | QFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.05Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2W | |
| Tension directe Vf | -4V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -30V, +30V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1.6mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 6.5mm | |
| Largeur | 3.56mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 1A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier SOT-223 | ||
Série QFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.05Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2W | ||
Tension directe Vf -4V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -30V, +30V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1.6mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 6.5mm | ||
Largeur 3.56mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET à canal P QFET®, Fairchild Semiconductor
Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de Fairchild Semiconductor utilisent une technologie propriétaire avancée pour offrir de meilleures performances d'exploitation pour une large gamme d'applications : alimentations, correction de facteur de puissance, convertisseurs c.c./c.c., écrans plasma, ballasts d'éclairage et contrôle de mouvement.
Ils offrent une réduction des pertes à l'état passant en abaissant la résistance à l'état passant (RDS(on), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie du processus de pointe QFET®, Fairchild peut offrir un meilleure facteur de mérite que les dispositifs MOSFET planaires concurrents.
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
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