MOSFET canal N onsemi 850 mA 200 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 QFET

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Code commande RS:
166-1837
Référence fabricant:
FQT4N20LTF
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

850mA

Tension Drain Source maximum Vds

200V

Type de Boitier

SOT-223

Série

QFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

1.35Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

2.2W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

4nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20, +20V

Tension directe Vf

1.5V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1.6mm

Longueur

6.5mm

Normes/homologations

No

Largeur

3.56mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET à canal N QFET®, jusqu'à 5,9 A, Fairchild Semiconductor


Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de Fairchild Semiconductor utilisent une technologie propriétaire avancée pour offrir de meilleures performances d'exploitation pour une large gamme d'applications : alimentations, correction de facteur de puissance, convertisseurs c.c./c.c., écrans plasma, ballasts d'éclairage et contrôle de mouvement.

Ils offrent une réduction des pertes à l'état passant en abaissant la résistance à l'état passant (RDS(on), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie du processus de pointe QFET®, Fairchild peut offrir un meilleure facteur de mérite que les dispositifs MOSFET planaires concurrents.

Transistors MOSFET, ON Semi


On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

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