MOSFET onsemi canal N, SOT-223 7,2 A 30 V, 3 broches

Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.

on Semiconductor NDT451AN est un transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement de canal N SOT de puissance qui est produit à l'aide de la technologie DMOS haute densité de cellule. Ce processus à très haute densité est particulièrement adapté pour minimiser la résistance à l'état passant et fournir des performances de commutation supérieures.

Capacité de gestion de courant et de puissance élevée dans un boîtier à montage en surface largement utilisé

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.