Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	59 A
Tension Drain Source maximum	100 V
Type de boîtier	TO-220AB
Série	HEXFET
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	18 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4V
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	160 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Nombre d'éléments par circuit	1
Charge de Grille type @ Vgs	82 nF @ 10 V
Longueur	10.54mm
Matériau du transistor	Si
Largeur	4.69mm
Hauteur	8.77mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 59 A 100 V, 3 broches

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