Références fabricant

MOSFET N Infineon 59 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 HEXFET

Code commande RS:: 688-6850
Référence fabricant:: IRF3710ZPBF
Marque:: Infineon

MOSFET N Infineon 59 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 HEXFET

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2 - 18	1,81 €	3,62 €
20 - 48	1,64 €	3,28 €
50 - 98	1,54 €	3,08 €
100 - 198	1,435 €	2,87 €
200 +	1,325 €	2,65 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 688-6850
Référence fabricant:: IRF3710ZPBF
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	Type N
	Courant continu de Drain maximum Id	59A
	Tension Drain Source maximum Vds	100V
	Série	HEXFET
	Type de Boitier	TO-220
	Type de montage	Traversant
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	18mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension directe Vf	1.3V
	Dissipation de puissance maximum Pd	160W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	82nC
	Température minimum de fonctionnement	-55°C
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Longueur	10.54mm
	Hauteur	8.77mm
	Normes/homologations	No
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit MOSFET
	Type de canal Type N
	Courant continu de Drain maximum Id 59A
	Tension Drain Source maximum Vds 100V
	Série HEXFET
	Type de Boitier TO-220
	Type de montage Traversant
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 18mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension directe Vf 1.3V
	Dissipation de puissance maximum Pd 160W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 82nC
	Température minimum de fonctionnement -55°C
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Longueur 10.54mm
	Hauteur 8.77mm
	Normes/homologations No
	Standard automobile Non

MOSFET N-ch HEXFET 100V 59A Data Sheet

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