MOSFET canal N Vishay 4.3 A 100 V Enrichissement, 3 broches, IPAK (TO-251)

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Code commande RS:
708-4884
Référence fabricant:
IRLU110PBF
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

4.3A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

IPAK (TO-251)

Type de montage

Traversant, En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.76Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

2.5V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

6.1nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-10V, +10V

Dissipation de puissance maximum Pd

25W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

2.38mm

Normes/homologations

Halogen Free According to IEC 61249-2-21, JEDEC JS709A, RoHS Directive 2002/95/EC

Longueur

6.73mm

Hauteur

6.22mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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