MOSFET 1 Simple onsemi 9.4 A 60 V Enrichissement, 3 broches, IPAK (TO-251)
- Code commande RS:
- 671-5335
- Référence fabricant:
- FQU11P06TU
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 671-5335
- Référence fabricant:
- FQU11P06TU
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Courant continu de Drain maximum (Id) | 9.4 A | |
| Tension Drain Source maximum (Vds) | 60 V | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Type de Boitier | IPAK (TO-251) | |
| Résistance Drain Source maximum (Rds) | 185 mΩ | |
| Tension maximale de source de la grille (Vgs) | -30 V, +30 V | |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C | |
| Dissipation de puissance maximum (Pd) | 2.5 W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55 °C | |
| Type de montage | Traversant | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Courant continu de Drain maximum (Id) 9.4 A | ||
Tension Drain Source maximum (Vds) 60 V | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Nombre de broches 3 | ||
Type de Boitier IPAK (TO-251) | ||
Résistance Drain Source maximum (Rds) 185 mΩ | ||
Tension maximale de source de la grille (Vgs) -30 V, +30 V | ||
Température d'utilisation maximum +150 °C | ||
Dissipation de puissance maximum (Pd) 2.5 W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55 °C | ||
Type de montage Traversant | ||
Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.
Features and Benefits:
• Voltage controlled P-Channel small signal switch
• High-Density cell design
• High saturation current
• Superior switching
• Great rugged and reliable performance
• DMOS technology
Applications:
• Load Switching
• DC/DC converter
• Battery protection
• Power management control
• DC motor control
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N onsemi 14 A 50 V Enrichissement IPAK (TO-251)
- MOSFET P onsemi 3.7 A 200 V Enrichissement IPAK (TO-251) QFET
- MOSFET 1 canal N Simple onsemi 4.5 A 600 V Enrichissement IPAK (TO-251) SuperFET II
- MOSFET canal N Vishay 4.3 A 100 V Enrichissement IPAK (TO-251)
- MOSFET P Vishay 3.1 A 100 V Enrichissement IPAK (TO-251)
- MOSFET canal N Vishay 4.3 A 100 V Enrichissement IPAK (TO-251) IRFU
- MOSFET de puissance canal N STMicroelectronics 5 A 600 V Enrichissement IPAK (TO-251) MDmesh
- MOSFET et Diode canal N Infineon 9.4 A 700 V Enrichissement TO-251 CoolMOS P7