MOSFET canal N STMicroelectronics 45 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 MDmesh
- Code commande RS:
- 714-6800
- Référence fabricant:
- STW45NM60
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
12,43 €
HT
14,92 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 25 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- Plus 39 unité(s) expédiée(s) à partir du 14 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 12,43 € |
| 10 - 99 | 7,56 € |
| 100 + | 7,21 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 714-6800
- Référence fabricant:
- STW45NM60
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 45A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | MDmesh | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 110mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 417W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 96nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -65°C | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -30V, +30V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 5.15mm | |
| Longueur | 15.75mm | |
| Hauteur | 20.15mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 45A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série MDmesh | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 110mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 417W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 96nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -65°C | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -30V, +30V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 5.15mm | ||
Longueur 15.75mm | ||
Hauteur 20.15mm | ||
Standard automobile Non | ||
Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics
Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N STMicroelectronics 45 A 600 V Enrichissement TO-247 MDmesh
- MOSFET canal N STMicroelectronics 45 A 500 V Enrichissement TO-247 MDmesh
- MOSFET canal N STMicroelectronics 39 A 600 V Enrichissement TO-247 MDmesh
- MOSFET canal N STMicroelectronics 29 A 600 V Enrichissement TO-247 MDmesh
- MOSFET canal N STMicroelectronics 20 A 600 V Enrichissement TO-247 MDmesh
- MOSFET canal N STMicroelectronics 28 A 600 V Enrichissement TO-247 MDmesh DM2
- MOSFET canal N STMicroelectronics 68 A 600 V Enrichissement TO-247 MDmesh M2
- MOSFET canal N STMicroelectronics 10 A 600 V Enrichissement TO-247 MDmesh, SuperMESH