MOSFET canal N STMicroelectronics 20 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 MDmesh
- Code commande RS:
- 151-453
- Référence fabricant:
- STW20NM60
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 3,804 € | 114,12 € |
| 150 - 270 | 3,625 € | 108,75 € |
| 300 + | 3,134 € | 94,02 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 151-453
- Référence fabricant:
- STW20NM60
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 20A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | MDmesh | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.29Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | 50°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 39nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 15.75mm | |
| Longueur | 34.95mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Hauteur | 5.15mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 20A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série MDmesh | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.29Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen 50°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 39nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 15.75mm | ||
Longueur 34.95mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Hauteur 5.15mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics associe le processus de drain multiple à la disposition horizontale Power MESH de la société. Le produit qui en résulte présente une faible résistance à l'enclenchement, un dv/dt impressionnant et d'excellentes caractéristiques d'avalanche. L'adoption de la technique de bande brevetée de l'entreprise permet d'obtenir des performances dynamiques globales nettement supérieures à celles des produits similaires de la concurrence.
testé à 100 % en avalanche
Faible capacité d'entrée et charge de grille
Faible résistance d'entrée de grille
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