MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 31 A 600 V, 3 broches

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
753-3002
Référence fabricant:
IPB60R099CPAATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

31 A

Tension Drain Source maximum

600 V

Type de boîtier

D2PAK (TO-263)

Type de montage

CMS

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum

105 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

20V

Tension de seuil minimale de la grille

20V

Dissipation de puissance maximum

255 W

Configuration du transistor

Simple

Tension Grille Source maximum

-20 V, +20 V

Longueur

10.31mm

Matériau du transistor

Si

Largeur

9.45mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Température d'utilisation maximum

+150 °C

Charge de Grille type @ Vgs

60 nC @ 10 V

Hauteur

4.57mm

Série

CoolMOS CP

Température de fonctionnement minimum

-40 °C

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