MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 31 A 650 V, 3 broches

Code commande RS:: 753-2999
Référence fabricant:: IPB60R099CPATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 31 A 650 V, 3 broches

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Code commande RS:: 753-2999
Référence fabricant:: IPB60R099CPATMA1
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Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	31 A
Tension Drain Source maximum	650 V
Série	CoolMOS CP
Type de boîtier	D2PAK (TO-263)
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	99 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	3.5V
Tension de seuil minimale de la grille	2.5V
Dissipation de puissance maximum	255 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Largeur	9.45mm
Longueur	10.31mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Nombre d'éléments par circuit	1
Charge de Grille type @ Vgs	60 nC @ 10 V
Matériau du transistor	Si
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	4.57mm

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