MOSFET canal N onsemi 28 A 300 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 UniFET
- Code commande RS:
- 759-8970
- Référence fabricant:
- FDB28N30TM
- Marque:
- onsemi
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Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 28A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 300V | |
| Série | UniFET | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 129mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 250W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -30V, +30V | |
| Tension directe Vf | 1.4V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 39nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 4.83mm | |
| Largeur | 11.33mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 28A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 300V | ||
Série UniFET | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 129mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 250W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -30V, +30V | ||
Tension directe Vf 1.4V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 39nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 4.83mm | ||
Largeur 11.33mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.67mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET à canal N UniFET™, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET est la famille de transistors MOSFET haute tension de Fairchild Semiconductor. Elle possède la plus petite résistance à l'état passant parmi les transistors MOSFET planaires, et offre également d'excellentes performances de commutation et une plus grande résistance à l'énergie d'avalanche. En outre, la diode PESD source de matrice interne permet au transistor MOSFET UniFET-II™ de résister à des surtensions Modèle du corps humain de plus de 2 000 V.
Les transistors MOSFET UniFET™ sont adaptés aux applications de convertisseurs d'alimentation à découpage, telles que la correction de facteur de puissance, l'alimentation de téléviseurs à écrans plats, les alimentations ATX (Advanced Technology eXtended) et les ballasts de lampes électroniques.
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
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