MOSFET canal N STMicroelectronics 600 mA 450 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 MDmesh K3, SuperMESH3
- Code commande RS:
- 760-9645
- Référence fabricant:
- STN3N45K3
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 10 unités)*
4,57 €
HT
5,48 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 7 240 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,457 € | 4,57 € |
| 100 - 490 | 0,308 € | 3,08 € |
| 500 - 990 | 0,244 € | 2,44 € |
| 1000 - 1990 | 0,221 € | 2,21 € |
| 2000 + | 0,206 € | 2,06 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 760-9645
- Référence fabricant:
- STN3N45K3
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 600mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 450V | |
| Type de Boitier | SOT-223 | |
| Série | MDmesh K3, SuperMESH3 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3.8Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -30V, +30V | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 6nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 6.7mm | |
| Largeur | 3.7mm | |
| Hauteur | 1.8mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 600mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 450V | ||
Type de Boitier SOT-223 | ||
Série MDmesh K3, SuperMESH3 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3.8Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -30V, +30V | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 6nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 6.7mm | ||
Largeur 3.7mm | ||
Hauteur 1.8mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Canal N MDmesh™ série K3, SuperMESH3™, STMicroelectronics
Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N STMicroelectronics 600 mA 450 V Enrichissement SOT-223 MDmesh K3, SuperMESH3
- MOSFET canal N STMicroelectronics 1.8 A 400 V Enrichissement SOT-223 SuperMESH3
- MOSFET canal N STMicroelectronics 250 mA 800 V Enrichissement SOT-223 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET canal N STMicroelectronics 400 mA 600 V Enrichissement SOT-223 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET P DiodesZetex 0.6 A 450 V Enrichissement SOT-223 DMP
- MOSFET canal N DiodesZetex 140 mA 450 V Enrichissement SOT-223 AEC-Q100 AEC-Q101
- MOSFET P DiodesZetex 450 mA 60 V Enrichissement SOT-223 AEC-Q100 AEC-Q104, AEC-Q101
- MOSFET P DiodesZetex 75 mA 450 V Enrichissement SOT-223 AEC-Q104 AEC-Q200, AEC-Q101