MOSFET canal N STMicroelectronics 1.8 A 400 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 SuperMESH3
- Code commande RS:
- 151-444
- Référence fabricant:
- STN3N40K3
- Marque:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 bobine de 4000 unités)*
1 048,00 €
HT
1 256,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,262 € | 1 048,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 151-444
- Référence fabricant:
- STN3N40K3
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 1.8A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 400V | |
| Type de Boitier | SOT-223 | |
| Série | SuperMESH3 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3.4Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 11nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 3.7mm | |
| Hauteur | 1.8mm | |
| Longueur | 6.7mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 1.8A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 400V | ||
Type de Boitier SOT-223 | ||
Série SuperMESH3 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3.4Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 11nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 3.7mm | ||
Hauteur 1.8mm | ||
Longueur 6.7mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics est le résultat d'améliorations appliquées à la technologie Super MESH, combinée à une nouvelle structure verticale optimisée. Ce dispositif est doté d'une résistance d'activation extrêmement faible, de performances dynamiques supérieures et d'une capacité d'avalanche élevée, ce qui le rend adapté aux applications les plus exigeantes.
Capacité dv/dt extrêmement élevée
Charge de grille minimisée
Très faible capacité intrinsèque
Caractéristiques de récupération inverse de diode améliorées
Protégé Zener
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