MOSFET N STMicroelectronics 1.8 A 400 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 SuperMESH3
- Code commande RS:
- 151-445
- Référence fabricant:
- STN3N40K3
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,646 € | 12,92 € |
| 200 - 480 | 0,613 € | 12,26 € |
| 500 - 980 | 0,568 € | 11,36 € |
| 1000 - 1980 | 0,524 € | 10,48 € |
| 2000 + | 0,503 € | 10,06 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 151-445
- Référence fabricant:
- STN3N40K3
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 1.8A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 400V | |
| Série | SuperMESH3 | |
| Type de Boitier | SOT-223 | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3.4Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 11nC | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Hauteur | 1.8mm | |
| Longueur | 6.7mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 1.8A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 400V | ||
Série SuperMESH3 | ||
Type de Boitier SOT-223 | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3.4Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 11nC | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Hauteur 1.8mm | ||
Longueur 6.7mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics est le résultat d'améliorations appliquées à la technologie Super MESH, combinée à une nouvelle structure verticale optimisée. Ce dispositif est doté d'une résistance d'activation extrêmement faible, de performances dynamiques supérieures et d'une capacité d'avalanche élevée, ce qui le rend adapté aux applications les plus exigeantes.
Capacité dv/dt extrêmement élevée
Charge de grille minimisée
Très faible capacité intrinsèque
Caractéristiques de récupération inverse de diode améliorées
Protégé Zener
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