MOSFET canal N STMicroelectronics 300 mA 600 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 SuperMESH
- Code commande RS:
- 151-928
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-37-475
- Référence fabricant:
- STN1NK60Z
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 151-928
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-37-475
- Référence fabricant:
- STN1NK60Z
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 300mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | SuperMESH | |
| Type de Boitier | SOT-223 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 15Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 4.9nC | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1.8mm | |
| Longueur | 6.7mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 3.7mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 300mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série SuperMESH | ||
Type de Boitier SOT-223 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 15Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 4.9nC | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1.8mm | ||
Longueur 6.7mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 3.7mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie Super MESH, obtenue grâce à l'optimisation d'une disposition Power MESH basée sur une bande bien établie. En plus d'une réduction significative de la résistance, ce dispositif est conçu pour garantir un haut niveau de capacité dv/dt pour les applications les plus exigeantes.
100 % testé contre les avalanches
Charge de grille minimisée
Capacité SD améliorée
Protégé Zener
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