MOSFET canal N STMicroelectronics 400 mA 600 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 MDmesh, SuperMESH

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Code commande RS:
920-6591
Référence fabricant:
STN1HNK60
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

400mA

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Série

MDmesh, SuperMESH

Type de Boitier

SOT-223

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

8.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.6V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

7nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Dissipation de puissance maximum Pd

3.3W

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

3.5mm

Longueur

6.5mm

Hauteur

1.8mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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