MOSFET canal N Infineon 1.8 A 60 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 SIPMOS AEC-Q101
- Code commande RS:
- 445-2269
- Référence fabricant:
- BSP295H6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 445-2269
- Référence fabricant:
- BSP295H6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 1.8A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | SIPMOS | |
| Type de Boitier | SOT-223 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 300mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.8W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 14nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.6mm | |
| Largeur | 3.5mm | |
| Longueur | 6.5mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 1.8A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série SIPMOS | ||
Type de Boitier SOT-223 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 300mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.8W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 14nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.6mm | ||
Largeur 3.5mm | ||
Longueur 6.5mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 1,8A Maximum Continuous Drain Current, 1,8W Maximum Power Dissipation - BSP295H6327XTSA1
Ce MOSFET est conçu pour des applications de haute performance dans les domaines de l'automatisation et de l'électronique. Sa configuration à canal N combinée à un montage en surface efficace permet un contrôle efficace du courant, ce qui le rend adapté à une gamme d'applications industrielles. Il prend en charge une tension drain-source maximale de 60 V, ce qui garantit des performances constantes pour divers projets.
Caractéristiques et avantages
• Gère en permanence un courant de vidange de 1,8A
• Faible résistance maximale drain-source de 300mΩ
• Large plage de tension de source de grille de -20V à +20V
• Qualifié selon la norme automobile AEC-Q101 pour la fiabilité
Applications
• Systèmes de gestion de l'énergie pour un contrôle efficace de la production
• Entraînements motorisés pour des opérations de commutation fiables
• Amplification du signal dans divers dispositifs électroniques
• Unités de contrôle électronique automobile
Quelle est la puissance dissipée typique du composant ?
Il peut dissiper jusqu'à 1,8 W dans les conditions spécifiées pour une gestion efficace de la chaleur pendant le fonctionnement.
Comment la tension de seuil de la porte affecte-t-elle les performances ?
La tension de seuil maximale de la grille est de 1,8 V, ce qui permet au MOSFET d'atteindre des performances optimales à de faibles niveaux d'entrée.
Ce composant peut-il gérer des courants de drainage pulsés ?
Oui, il est conçu pour un courant de drainage pulsé allant jusqu'à 6 A, ce qui lui permet de gérer efficacement les conditions transitoires.
Quelles sont les options d'emballage disponibles ?
Le MOSFET est disponible dans un boîtier SOT-223 pour montage en surface, optimisé pour les conceptions à faible encombrement.
L'appareil est-il conforme aux normes environnementales ?
Il présente un placage au plomb sans plomb et respecte la norme RoHS, ce qui lui permet de répondre aux réglementations environnementales actuelles.
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