MOSFET canal N STMicroelectronics 11 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 MDmesh

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760-9768
Référence fabricant:
STW11NM80
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

11A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Type de Boitier

TO-247

Série

MDmesh

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

400mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

43.6nC

Température minimum de fonctionnemen

-65°C

Dissipation de puissance maximum Pd

150W

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Tension directe Vf

0.86V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

15.75mm

Hauteur

20.15mm

Largeur

5.15mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™, 800 V / 1500 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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