MOSFET canal N STMicroelectronics 11 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh

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687-5239
Référence fabricant:
STF11NM80
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

11A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Série

MDmesh

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

400mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

0.86V

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Température minimum de fonctionnemen

-65°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

43.6nC

Dissipation de puissance maximum Pd

35W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Hauteur

9.3mm

Longueur

10.4mm

Largeur

4.6mm

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™, 800 V / 1500 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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