MOSFET de puissance MDmesh canal N STMicroelectronics 11 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STB11NM80
- Code commande RS:
- 188-8461
- Référence fabricant:
- STB11NM80T4
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 188-8461
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- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET de puissance MDmesh | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 11A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 800V | |
| Série | STB11NM80 | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.4Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 43.6nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -65°C | |
| Tension directe Vf | 860mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 150W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 9.35mm | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Hauteur | 4.37mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET de puissance MDmesh | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 11A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 800V | ||
Série STB11NM80 | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.4Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 43.6nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -65°C | ||
Tension directe Vf 860mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 150W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 9.35mm | ||
Longueur 10.4mm | ||
Hauteur 4.37mm | ||
Standard automobile Non | ||
Ces transistors MOSFET de puissance à canal N sont développés à l'aide de la technologie MDmesh TM révolutionnaire de STMicroelectronics, qui associe le processus de drain multiple à la disposition horizontale PowerMESH TM de l'entreprise. Ces dispositifs offrent une très faible résistance à l'état passant, une haute dv/dt et d'excellentes caractéristiques d'avalanche. Utilisant la technique de bande propriétaire de ST, ces transistors MOSFET de puissance offrent une performance dynamique globale supérieure aux produits similaires sur le marché.
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