Attribut	Valeur
Type de canal	P
Courant continu de Drain maximum	1 A
Tension Drain Source maximum	20 V
Type de boîtier	SOT-323
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	200 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	1.15V
Tension de seuil minimale de la grille	0.65V
Dissipation de puissance maximum	1,67 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-12 V, +12 V
Longueur	2.2mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Largeur	1.35mm
Matériau du transistor	Si
Nombre d'éléments par circuit	1
Charge de Grille type @ Vgs	2,6 nC @ 4,5 V
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	1.1mm

Attribut	Valeur
Type de canal	P
Courant continu de Drain maximum	1 A
Tension Drain Source maximum	20 V
Type de boîtier	SOT-323
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	200 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	1.15V
Tension de seuil minimale de la grille	0.65V
Dissipation de puissance maximum	1,67 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-12 V, +12 V
Longueur	2.2mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Largeur	1.35mm
Matériau du transistor	Si
Nombre d'éléments par circuit	1
Charge de Grille type @ Vgs	2,6 nC @ 4,5 V
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	1.1mm

MOSFET Nexperia canal P, SOT-323 1 A 20 V, 3 broches

Nos clients ont également consulté