Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	60 A
Tension Drain Source maximum	500 V
Série	HiperFET, Polar3
Type de boîtier	TO-3PN
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	100 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	5V
Dissipation de puissance maximum	1,04 kW
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-30 V, +30 V
Charge de Grille type @ Vgs	96 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Matériau du transistor	Si
Longueur	15.8mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Largeur	4.9mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	20.3mm

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	60 A
Tension Drain Source maximum	500 V
Série	HiperFET, Polar3
Type de boîtier	TO-3PN
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	100 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	5V
Dissipation de puissance maximum	1,04 kW
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-30 V, +30 V
Charge de Grille type @ Vgs	96 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Matériau du transistor	Si
Longueur	15.8mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Largeur	4.9mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	20.3mm

MOSFET IXYS canal N, TO-3PN 60 A 500 V, 3 broches

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