Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	98 A
Tension Drain Source maximum	500 V
Série	HiperFET, Polar3
Type de boîtier	TO-264
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	50 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	5V
Dissipation de puissance maximum	1,3 kW
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-30 V, +30 V
Matériau du transistor	Si
Largeur	5.13mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Longueur	19.96mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Charge de Grille type @ Vgs	197 nC @ 10 V
Hauteur	26.16mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	98 A
Tension Drain Source maximum	500 V
Série	HiperFET, Polar3
Type de boîtier	TO-264
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	50 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	5V
Dissipation de puissance maximum	1,3 kW
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-30 V, +30 V
Matériau du transistor	Si
Largeur	5.13mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Longueur	19.96mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Charge de Grille type @ Vgs	197 nC @ 10 V
Hauteur	26.16mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

MOSFET IXYS canal N, TO-264 98 A 500 V, 3 broches

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