MOSFET de puissance 2 canal N Isolé DiodesZetex 200 mA 60 V Enrichissement, 6 broches, SC-88 AEC-Q101, AEC-Q200,

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822-2602
Référence fabricant:
DMN65D8LDW-7
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de produit

MOSFET de puissance

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

200mA

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

SC-88

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

400mW

Charge de porte typique Qg @ Vgs

0.43nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

0.8V

Configuration du transistor

Isolé

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

2.2mm

Hauteur

1mm

Largeur

1.35mm

Normes/homologations

RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

Transistor MOSFET à double canal N, Diodes Inc.


Transistors MOSFET, Diodes Inc.


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