MOSFET 2 canal N Isolé Infineon 300 mA 60 V Enrichissement, 6 broches, SC-88 OptiMOS AEC-Q101
- Code commande RS:
- 827-0002
- Référence fabricant:
- 2N7002DWH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 500 - 500 | 0,108 € | 54,00 € |
| 1000 - 2000 | 0,102 € | 51,00 € |
| 2500 - 4500 | 0,092 € | 46,00 € |
| 5000 + | 0,091 € | 45,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 827-0002
- Référence fabricant:
- 2N7002DWH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 300mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | OptiMOS | |
| Type de Boitier | SC-88 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Tension directe Vf | 0.96V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500mW | |
| Configuration du transistor | Isolé | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 2mm | |
| Largeur | 1.25mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 0.8mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 300mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série OptiMOS | ||
Type de Boitier SC-88 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Tension directe Vf 0.96V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500mW | ||
Configuration du transistor Isolé | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 2mm | ||
Largeur 1.25mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 0.8mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Transistor MOSFET Infineon série OptiMOS, tension de source de drain de 60 V, résistance de source de drain de 4 Ω - 2N7002DWH6327XTSA1
Ce MOSFET est un transistor à canal N à montage en surface conçu pour la commutation à faible puissance dans les assemblages restreints. Il fonctionne en mode d'amélioration et combine deux éléments sur une seule puce pour fournir une commutation compacte à double matrice adaptée aux environnements automobiles et industriels. Ce dispositif est destiné aux applications de niveau de carte nécessitant une manipulation de courant modeste et une résistance à l'état passant contrôlée.
Caractéristiques et avantages :
• La valeur nominale de drain de 60 V permet des applications de commutation à haute tension
• Le Rds maximal de 4 Ω réduit les pertes de conduction pendant l'état activé
• Le courant de drain continu de 300 mA prend en charge les charges à faible courant
• La charge de grille typique de 0,4 nC permet une commutation rapide et efficace
• Dissipation de puissance de 500 mW adaptée aux conceptions à faible consommation et à limitation thermique
• Plage de fonctionnement de -55 à 150 °C garantissant une résistance thermique
• Le Rds maximal de 4 Ω réduit les pertes de conduction pendant l'état activé
• Le courant de drain continu de 300 mA prend en charge les charges à faible courant
• La charge de grille typique de 0,4 nC permet une commutation rapide et efficace
• Dissipation de puissance de 500 mW adaptée aux conceptions à faible consommation et à limitation thermique
• Plage de fonctionnement de -55 à 150 °C garantissant une résistance thermique
Applications
• Adapté à la commutation de charge pilotée par microcontrôleur
• Idéal pour l'interface des capteurs dans les systèmes automobiles
• Utilisé avec les circuits d'équilibrage de gestion de batterie
• Peut être utilisé pour les petites tâches de remplacement de relais
• Adapté à la commande de chemin de puissance CMS compacte
• Idéal pour l'interface des capteurs dans les systèmes automobiles
• Utilisé avec les circuits d'équilibrage de gestion de batterie
• Peut être utilisé pour les petites tâches de remplacement de relais
• Adapté à la commande de chemin de puissance CMS compacte
Quel boîtier et quel nombre de broches dois-je préparer pour la disposition des circuits imprimés?
Le dispositif est fourni dans un petit boîtier SC-88 à montage en surface avec six broches, de sorte que les tampons et le passe-fil thermique doivent correspondre à l'empreinte du SC-88.
Comment la puce à double élément affecte-t-elle le fonctionnement en parallèle?
Deux éléments sur la même matrice permettent des arrangements compacts à deux canaux sans correspondance externe, mais les limites thermiques totales restent par boîtier.
Quelles sont les limites de tension de grille et de drain à respecter?
La tension de la porte à la source ne doit pas dépasser ±20 V tandis que la limite de tension de drain à la source est de 60 V pour éviter la contrainte du dispositif.
Quelle tension directe peut-on attendre lors de la conduction?
Une mesure de tension directe d'environ 0,96 V s'applique dans les conditions d'essai spécifiées pour les chemins de conduction pertinents.
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