MOSFET canal N Infineon 1.5 A 20 V Enrichissement, 3 broches, SC-70 OptiMOS AEC-Q101

Code commande RS:: 165-5865
Référence fabricant:: BSS214NH6327XTSA1
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 1.5 A 20 V Enrichissement, 3 broches, SC-70 OptiMOS AEC-Q101

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

315,00 €

378,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,105 €	315,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 165-5865
Référence fabricant:: BSS214NH6327XTSA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	1.5A
	Tension Drain Source maximum Vds	20V
	Type de Boitier	SC-70
	Série	OptiMOS
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	250mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	0.8nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-12V, +12V
	Dissipation de puissance maximum Pd	500mW
	Tension directe Vf	800mV
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Hauteur	800μm
	Largeur	1.25mm
	Normes/homologations	No
	Longueur	2mm
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 1.5A
	Tension Drain Source maximum Vds 20V
	Type de Boitier SC-70
	Série OptiMOS
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 250mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 0.8nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs -12V, +12V
	Dissipation de puissance maximum Pd 500mW
	Tension directe Vf 800mV
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Hauteur 800μm
	Largeur 1.25mm
	Normes/homologations No
	Longueur 2mm
	Standard automobile AEC-Q101

BSS214N OptiMOS2 Small Signal Transistor Datasheet

Pays d'origine :: CN

Transistor MOSFET Infineon série OptiMOS, tension de source de drain maximale de 20 V, courant de drain continu maximal de 1,5 A - BSS214NH6327XTSA1

Ce MOSFET à canal N est un commutateur compact à montage en surface conçu pour les applications électroniques basse tension et automobiles. Il fonctionne comme un transistor à mode d'amélioration pour contrôler le courant dans les circuits de gestion de l'alimentation et de commutation de signaux tout en résistant à une large plage de températures adaptée aux environnements exigeants.

Caractéristiques et avantages :

• La faible résistance drain-source de 250 mΩ réduit les pertes de conduction
• Le courant de drain maximal de 1,5 A prend en charge les courants de charge modérés
• La tension drain-source maximale de 20 V permet des étages de puissance basse tension
• La charge de grille typique de 0,8 nC permet des transitions de commutation plus rapides
• La dissipation de puissance maximale de 500 mW permet de gérer la charge thermique dans de petites empreintes
• La tension de grille-source maximale de 12 V permet la compatibilité avec les niveaux d'entraînement courants

Applications

• Adapté à la commutation côté bas du convertisseur c.c.-c.c.
• Idéal pour la distribution d'énergie dans l'électronique automobile
• Utilisé avec les drivers de grille nécessitant une réponse de commutation rapide
• Peut être utilisé pour la commutation de charge sur les circuits imprimés compacts
• Convient à la gestion de l'alimentation des appareils alimentés par batterie

Quelles sont les températures de fonctionnement qu'il peut supporter dans des conditions difficiles?

Il fonctionne sur une large plage de -55 à 150 °C pour une stabilité à haute température.

Comment le boîtier affecte-t-il la population et l'assemblage de la carte?

Le boîtier à montage en surface SC-70 facilite les configurations de circuits imprimés denses et l'assemblage « pick-and-place » automatisé.

Quelle limite électrique les concepteurs doivent-ils respecter pour l'entraînement de grille?

Ne dépassez pas une tension de source de grille de 12 V pour éviter d'endommager l'oxyde de grille.

Quel espace vertical un concepteur doit-il laisser à l'espace des composants?

Permet une hauteur de composant de 0,8 mm lors de la planification des contraintes de boîtier et d'empilage.