MOSFET canal N Infineon 70 A 120 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 OptiMOS-T AEC-Q101

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Code commande RS:
214-4389
Référence fabricant:
IPD70N12S311ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

70A

Tension Drain Source maximum Vds

120V

Type de Boitier

TO-252

Série

OptiMOS-T

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

11.1mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

125W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

51nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

2.35mm

Largeur

6.42mm

Normes/homologations

No

Longueur

6.65mm

Standard automobile

AEC-Q101

Ce transistor MOSFET Infineon OptiMOS est adapté pour les applications automobiles et est testé à 100 % en avalanche.

Il est sans halogène conformément à la norme CEI 61249-2-21

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