MOSFET N Infineon 70 A 120 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 OptiMOS-T AEC-Q101

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
214-9097
Référence fabricant:
IPP70N12S311AKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

70A

Tension Drain Source maximum Vds

120V

Type de Boitier

TO-220

Série

OptiMOS-T

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

11.6mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

51nC

Dissipation de puissance maximum Pd

125W

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

9.45mm

Longueur

10.36mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

La gamme Infineon offre une large gamme complète de dispositifs MOSFET, qui inclut les familles CoolMOS, OptiMOS et IRFET robuste. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

Le produit est certifié AEC Q101

Sa température d'utilisation est de 175 °C.

Testé à 100 % en avalanche

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