MOSFET canal N Infineon 1.4 A 20 V Enrichissement, 3 broches, SC-70 OptiMOS 2 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 166-0980
- Référence fabricant:
- BSS816NWH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
168,00 €
HT
201,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- 30 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,056 € | 168,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,054 € | 162,00 € |
| 15000 + | 0,05 € | 150,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 166-0980
- Référence fabricant:
- BSS816NWH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 1.4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Type de Boitier | SC-70 | |
| Série | OptiMOS 2 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 240mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -8V, +8V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500mW | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 800μm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 1.25mm | |
| Longueur | 2mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 1.4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Type de Boitier SC-70 | ||
Série OptiMOS 2 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 240mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -8V, +8V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500mW | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 800μm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 1.25mm | ||
Longueur 2mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- MY
Transistor MOSFET Infineon OptiMOS série 2, tension de source de drain maximale de 20 V, courant de drain continu maximal de 1,4 A - BSS816NWH6327XTSA1
Caractéristiques et avantages :
• Le courant de drain maximal de 1,4 A permet une commutation de charge modérée
• La tension nominale drain-source de 20 V prend en charge les rails automobiles typiques
• La charge de grille 0,6 nC permet une commande de grille plus rapide et une perte de commutation réduite
• La dissipation de puissance de 500 mW permet un fonctionnement prolongé sous charge légère
• La limite de source de grille de 8 V protège contre les tensions d'entraînement excessives
Applications
• Idéal pour la commutation de charge dans les circuits auxiliaires 12 V
• Utilisé avec les périphériques de gestion de batterie nécessitant un faible encombrement
• Peut être utilisé pour le contrôle du niveau de signal dans les systèmes d'info-divertissement
• Applicable aux étages de grille d'entraînement de moteur compacts pour les courants faibles
Quel boîtier convient aux configurations de cartes à haute densité?
Comment fonctionne-t-il à des températures ambiantes élevées?
Quelle plage de tension d'entraînement doit-elle être appliquée à la porte?
Comment l'appareil équilibre-t-il la vitesse de commutation et l'énergie de commande de la grille?
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