MOSFET de puissance 2 canal N Isolé onsemi 300 mA 60 V Enrichissement, 6 broches, SC-88 AEC-Q101

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Code commande RS:
178-7611
Référence fabricant:
NTJD5121NT1G
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET de puissance

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

300mA

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

SC-88

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

2.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

0.9nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

266mW

Tension directe Vf

0.8V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Configuration du transistor

Isolé

Température d'utilisation maximum

+150°C

Longueur

2.2mm

Hauteur

1mm

Normes/homologations

No

Largeur

1.35mm

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

AEC-Q101

Transistor MOSFET à double canal N, ON Semiconductor


Transistors MOSFET, ON Semiconductor


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