MOSFET de puissance 2 canal N Isolé onsemi 300 mA 60 V Enrichissement, 6 broches, SC-88 AEC-Q101

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Code commande RS:
178-7611
Référence fabricant:
NTJD5121NT1G
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET de puissance

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

300mA

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

SC-88

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

2.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

266mW

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

0.8V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

0.9nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Configuration du transistor

Isolé

Hauteur

1mm

Normes/homologations

No

Longueur

2.2mm

Largeur

1.35mm

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

AEC-Q101

Transistor MOSFET à double canal N, ON Semiconductor


Transistors MOSFET, ON Semiconductor


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