MOSFET de puissance 2 canal N Isolé onsemi 300 mA 60 V Enrichissement, 6 broches, SC-88 AEC-Q101

Sous-total (50 unités, dans un pack de 50)*

5,10 €

HT

6,10 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • 28 750 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
50 +0,102 €5,10 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
780-0627
Référence fabricant:
NTJD5121NT1G
Marque:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET de puissance

Courant continu de Drain maximum Id

300mA

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

SC-88

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

2.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

0.8V

Dissipation de puissance maximum Pd

266mW

Charge de porte typique Qg @ Vgs

0.9nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

+150°C

Configuration du transistor

Isolé

Longueur

2.2mm

Largeur

1.35mm

Hauteur

1mm

Normes/homologations

No

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

AEC-Q101

Transistor MOSFET à double canal N, ON Semiconductor


Transistors MOSFET, ON Semiconductor


Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.