MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 100 A 55 V, 3 broches

Code commande RS:: 827-5091
Référence fabricant:: IPB100N06S2L05ATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 100 A 55 V, 3 broches

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Code commande RS:: 827-5091
Référence fabricant:: IPB100N06S2L05ATMA1
Marque:: Infineon

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Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	100 A
Tension Drain Source maximum	55 V
Type de boîtier	D2PAK (TO-263)
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	5,9 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	2V
Tension de seuil minimale de la grille	1.2V
Dissipation de puissance maximum	300 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Longueur	10.31mm
Charge de Grille type @ Vgs	170 nC @ 10 V
Largeur	9.45mm
Matériau du transistor	Si
Nombre d'éléments par circuit	1
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Série	OptiMOS
Hauteur	4.57mm

MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 100 A 55 V, 3 broches

Famille de transistors de puissance MOSFET OptiMOS™ d'Infineon

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