MOSFET Infineon canal N, I2PAK (TO-262) 100 A 75 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 857-4647
- Référence fabricant:
- IPI100N08S207AKSA1
- Marque:
- Infineon
En cours d'approvisionnement
Ajouté
Prix pour l'unité (en tube de 500)
1,648 €
HT
1,978 €
TTC
| Unité | Prix par unité | le tube* |
| 500 - 500 | 1,648 € | 824,00 € |
| 1000 - 2000 | 1,491 € | 745,50 € |
| 2500 + | 1,453 € | 726,50 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 857-4647
- Référence fabricant:
- IPI100N08S207AKSA1
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
Statut RoHS : Exempté
Détail produit
Famille de transistors de puissance MOSFET OptiMOS™ d'Infineon
Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.
Canal N - Mode d'enrichissement
Certifié AEC-Q101 automobile
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C
Boîtier vert (sans plomb)
Très faible RDS(on)
Certifié AEC-Q101 automobile
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C
Boîtier vert (sans plomb)
Très faible RDS(on)
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 100 A |
| Tension Drain Source maximum | 75 V |
| Type de boîtier | I2PAK (TO-262) |
| Série | OptiMOS |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 7,1 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 4V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 2.1V |
| Dissipation de puissance maximum | 300 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Matériau du transistor | Si |
| Longueur | 10mm |
| Largeur | 4.4mm |
| Charge de Grille type @ Vgs | 144 nC @ 10 V |
| Hauteur | 9.25mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
- Code commande RS:
- 857-4647
- Référence fabricant:
- IPI100N08S207AKSA1
- Marque:
- Infineon