MOSFET IXYS canal N, SMPD 600 A 40 V, 24 broches

Name: MOSFET IXYS canal N, SMPD 600 A 40 V, 24 broches
Brand: IXYS
SKU: 875-2475
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Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	600 A
Tension Drain Source maximum	40 V
Série	GigaMOS, HiperFET
Type de boîtier	SMPD
Type de montage	CMS
Nombre de broches	24
Résistance Drain Source maximum	1,3 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	3.5V
Dissipation de puissance maximum	830 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Matériau du transistor	Si
Largeur	23.25mm
Charge de Grille type @ Vgs	590 nC @ 10 V
Longueur	25.25mm
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	5.7mm
Tension directe de la diode	1.2V