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    MOSFET Microchip canal P, , TO-92 250 mA 60 V, 3 broches

    Code commande RS:
    879-3283
    Référence fabricant:
    VP2106N3-G
    Marque:
    Microchip
    Microchip
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    VP2106N3-G
    Marque:
    Microchip

    Documentation technique


    Législation et Conformité


    Détail produit

    Transistors MOSFET canal P à mode d'enrichissement Supertex


    La gamme Supertex de transistors DMOS FET (normalement éteints) à canal P et mode d'enrichissement de Microchip est adaptée à de nombreuses applications de commutation et d'amplification exigeant une faible tension de seuil, une haute tension d'isolement, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides.


    Transistors MOSFET, Microchip

    Caractéristiques techniques

    AttributValeur
    Type de canalP
    Courant continu de Drain maximum250 mA
    Tension Drain Source maximum60 V
    Type de boîtierTO-92
    Type de montageTraversant
    Nombre de broches3
    Résistance Drain Source maximum15 Ω
    Mode de canalEnrichissement
    Tension de seuil maximale de la grille3.5V
    Dissipation de puissance maximum1 W
    Configuration du transistorSimple
    Tension Grille Source maximum-20 V, +20 V
    Nombre d'éléments par circuit1
    Matériau du transistorSi
    Largeur4.06mm
    Longueur5.08mm
    Température d'utilisation maximum+150 °C
    Température de fonctionnement minimum-55 °C
    Hauteur5.33mm
    Tension directe de la diode2V
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