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    MOSFET Microchip canal P, , TO-92 250 mA 60 V, 3 broches

    Code commande RS:
    879-3283
    Référence fabricant:
    VP2106N3-G
    Marque:
    Microchip
    Microchip
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    MOSFET DiodesZetex canal P, , E ligne 280 mA 60 V, 3 broches
    Code commande RS
    669-7596

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    MOSFET DiodesZetex canal P, , TO-92 280 mA 60 V, 3 broches
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    823-1842

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    Code commande RS:
    879-3283
    Référence fabricant:
    VP2106N3-G
    Marque:
    Microchip
    Pays d'origine :
    TW

    Documentation technique


    Législation et Conformité

    Pays d'origine :
    TW

    Détail produit

    Transistors MOSFET canal P à mode d'enrichissement Supertex


    La gamme Supertex de transistors DMOS FET (normalement éteints) à canal P et mode d'enrichissement de Microchip est adaptée à de nombreuses applications de commutation et d'amplification exigeant une faible tension de seuil, une haute tension d'isolement, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides.


    Transistors MOSFET, Microchip

    Caractéristiques techniques

    AttributValeur
    Type de canalP
    Courant continu de Drain maximum250 mA
    Tension Drain Source maximum60 V
    Type de boîtierTO-92
    Type de montageTraversant
    Nombre de broches3
    Résistance Drain Source maximum15 Ω
    Mode de canalEnrichissement
    Tension de seuil maximale de la grille3.5V
    Dissipation de puissance maximum1 W
    Configuration du transistorSimple
    Tension Grille Source maximum-20 V, +20 V
    Largeur4.06mm
    Température d'utilisation maximum+150 °C
    Longueur5.08mm
    Matériau du transistorSi
    Nombre d'éléments par circuit1
    Température de fonctionnement minimum-55 °C
    Tension directe de la diode2V
    Hauteur5.33mm
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