MOSFET P Infineon 5.8 A 30 V Enrichissement, 6 broches, TSOP HEXFET

Code commande RS:: 907-5151
Numéro d'article Distrelec:: 304-44-469
Référence fabricant:: IRFTS9342TRPBF
Marque:: Infineon

MOSFET P Infineon 5.8 A 30 V Enrichissement, 6 broches, TSOP HEXFET

Actuellement indisponible

Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.

Code commande RS:: 907-5151
Numéro d'article Distrelec:: 304-44-469
Référence fabricant:: IRFTS9342TRPBF
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	Type P
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	5.8A
	Tension Drain Source maximum Vds	30V
	Type de Boitier	TSOP
	Série	HEXFET
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	6
	Résistance Drain Source maximum Rds	66mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	2W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	12nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Tension directe Vf	-1.2V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Longueur	3mm
	Hauteur	1.3mm
	Largeur	1.75mm
	Normes/homologations	No
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal Type P
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 5.8A
	Tension Drain Source maximum Vds 30V
	Type de Boitier TSOP
	Série HEXFET
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 6
	Résistance Drain Source maximum Rds 66mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 2W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 12nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Tension directe Vf -1.2V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Longueur 3mm
	Hauteur 1.3mm
	Largeur 1.75mm
	Normes/homologations No
	Standard automobile Non

IRFTS9342PbF, HEXFET Power MOSFET

Infineon HEXFET Series MOSFET, 5,8A Maximum Continuous Drain Current, 2W Maximum Power Dissipation - IRFTS9342TRPBF

Ce MOSFET est conçu pour un rendement élevé dans diverses applications, jouant un rôle essentiel dans les circuits électroniques qui nécessitent des performances et une fiabilité accrues. Sa faible résistance à l'enclenchement et ses importantes capacités de traitement du courant contribuent à l'efficacité énergétique et à la stabilité du système dans les applications électriques et d'automatisation.

Caractéristiques et avantages

• Un faible Rds(on) améliore l'efficacité énergétique

• Courant de drainage continu de 5,8 A pour une performance efficace

• La tension drain-source maximale de 30 V garantit la durabilité

• Le montage en surface permet des implantations compactes et efficaces

• La plage de température de fonctionnement de -55°C à +150°C améliore l'adaptabilité

Applications

• Utilisé dans les onduleurs de moteurs CC alimentés par batterie

• Employé pour la commutation de systèmes ou de charges dans des circuits variés

• Applicable aux opérations d'entraînement dans les systèmes d'automatisation

• Utilisé dans les systèmes de gestion de l'énergie pour améliorer l'efficacité

Comment ce composant se comporte-t-il en cas de températures extrêmes ?

Il fonctionne efficacement dans une large gamme de températures allant de -55°C à +150°C, ce qui garantit sa fiabilité dans divers environnements.

Quel est l'avantage de la faible résistance à l'enclenchement ?

Une faible valeur de Rds(on) diminue la perte de puissance dans les applications, ce qui permet d'améliorer l'efficacité globale et les performances thermiques.

Ce dispositif peut-il gérer des courants pulsés ?

Oui, il peut gérer efficacement les courants de drainage pulsés, ce qui le rend adapté aux applications dynamiques dans le domaine de l'électronique.

Comment est-il monté dans les circuits ?

Le dispositif est conçu pour des applications de montage en surface, ce qui facilite un assemblage compact et une utilisation efficace de l'espace sur les circuits imprimés.

Quelles sont les précautions à prendre lors de la manipulation de ce composant ?

Les utilisateurs doivent veiller à une manipulation correcte en raison de sa sensibilité aux niveaux de tension, en respectant les limites maximales spécifiées pour la tension grille-source.