MOSFET canal N Infineon 5.8 A 25 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 HEXFET

Code commande RS:: 737-7219
Numéro d'article Distrelec:: 304-45-306
Référence fabricant:: IRFML8244TRPBF
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 5.8 A 25 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 HEXFET

Sous-total (1 paquet de 20 unités)*

3,90 €

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Code commande RS:: 737-7219
Numéro d'article Distrelec:: 304-45-306
Référence fabricant:: IRFML8244TRPBF
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	5.8A
	Tension Drain Source maximum Vds	25V
	Série	HEXFET
	Type de Boitier	SOT-23
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	41mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	1.25W
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	5.4nC
	Tension directe Vf	1.2V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Longueur	3.04mm
	Normes/homologations	No
	Largeur	1.4mm
	Hauteur	1.02mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 5.8A
	Tension Drain Source maximum Vds 25V
	Série HEXFET
	Type de Boitier SOT-23
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 41mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 1.25W
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 5.4nC
	Tension directe Vf 1.2V
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Longueur 3.04mm
	Normes/homologations No
	Largeur 1.4mm
	Hauteur 1.02mm
	Standard automobile Non

Datasheet

Transistor MOSFET Infineon série HEXFET, tension de source de drain maximale de 25 V, courant de drain continu maximal de 5,8 A - IRFML8244TRPBF

Ce MOSFET est un dispositif d'amélioration compact à canal N conçu pour la commutation de puissance à montage en surface et le contrôle du niveau de signal dans les assemblages électroniques compacts. Il fonctionne sur une large plage de températures adaptée aux environnements exigeants et est destiné à une utilisation où de faibles pertes de conduction et une manipulation de puissance modeste sont requises. Le boîtier prend en charge le montage SOT-23 à trois broches pour les configurations de carte à espace restreint.

Caractéristiques et avantages :

• La faible résistance à l'état passant de 41 mΩ réduit les pertes de conduction
• Le courant de drain continu de 5,8 A prend en charge des courants de charge plus élevés
• La tension drain-source de 25 V permet la commutation à moyenne tension
• La charge de grille typique de 5,4 nC permet des transitions de grille rapides
• La tension directe de 1.2 V minimise la chute de tension sous charge
• La dissipation de puissance maximale de 1,25 W permet de gérer le budget thermique

Applications

• Convient aux convertisseurs abaisseurs compacts c.c.-c.c.
• Idéal pour les modules portables de gestion de l'alimentation
• Utilisé avec les pilotes de moteur pour la commande de petits actionneurs
• Peut être utilisé pour la protection des batteries et les circuits de charge
• Convient aux cartes d'électronique grand public haute densité

Quelles sont les limites thermiques de fonctionnement ?

Le dispositif est conçu pour fonctionner entre -55 °C et 150 °C, ce qui permet un fonctionnement à basse température et dans des conditions ambiantes élevées.

Quelles sont les tensions de grille extrêmes à éviter?

La tension de la source de la porte ne doit pas dépasser 20 V pour éviter les contraintes ou les dommages du dispositif.

Combien de broches et quel style de montage utilise-t-il?

Il est fourni sous forme de composant à trois broches destiné à un montage en surface dans un encombrement SOT-23.

Quels sont les avantages en matière de conduction et de commutation?

La combinaison d'une résistance à l'état passant de 41 mΩ et d'une charge de grille de 5,4 nC équilibre les faibles pertes de conduction avec des exigences d'entraînement de grille modérées pour une commutation efficace.