MOSFET canal N Infineon 5.8 A 25 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 HEXFET
- Code commande RS:
- 165-7765
- Référence fabricant:
- IRFML8244TRPBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
195,00 €
HT
234,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- 42 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,065 € | 195,00 € |
| 6000 - 6000 | 0,062 € | 186,00 € |
| 9000 + | 0,059 € | 177,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 165-7765
- Référence fabricant:
- IRFML8244TRPBF
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 5.8A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 25V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 41mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.25W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 3.04mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 1.4mm | |
| Hauteur | 1.02mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 5.8A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 25V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 41mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.25W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 5.4nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 3.04mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 1.4mm | ||
Hauteur 1.02mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- PH
Transistor MOSFET Infineon série HEXFET, tension de source de drain maximale de 25 V, courant de drain continu maximal de 5,8 A - IRFML8244TRPBF
Caractéristiques et avantages :
• Le courant de drain continu de 5,8 A prend en charge des courants de charge plus élevés
• La tension drain-source de 25 V permet la commutation à moyenne tension
• La charge de grille typique de 5,4 nC permet des transitions de grille rapides
• La tension directe de 1.2 V minimise la chute de tension sous charge
• La dissipation de puissance maximale de 1,25 W permet de gérer le budget thermique
Applications
• Idéal pour les modules portables de gestion de l'alimentation
• Utilisé avec les pilotes de moteur pour la commande de petits actionneurs
• Peut être utilisé pour la protection des batteries et les circuits de charge
• Convient aux cartes d'électronique grand public haute densité
Quelles sont les limites thermiques de fonctionnement ?
Quelles sont les tensions de grille extrêmes à éviter?
Combien de broches et quel style de montage utilise-t-il?
Quels sont les avantages en matière de conduction et de commutation?
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