MOSFET N Infineon 5.8 A 25 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 HEXFET

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Code commande RS:
165-7765
Référence fabricant:
IRFML8244TRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

5.8A

Tension Drain Source maximum Vds

25V

Série

HEXFET

Type de Boitier

SOT-23

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

41mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

1.25W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

5.4nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1.02mm

Longueur

3.04mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
PH

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 12 à 25 V, Infineon


La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés et des facteurs de forme capables de faire face à pratiquement toutes les dispositions de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.

Transistors MOSFET, Infineon


Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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