MOSFET canal N Infineon 2.7 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 HEXFET
- Code commande RS:
- 725-9353
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-45-312
- Référence fabricant:
- IRLML2030TRPBF
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 20 unités)*
5,48 €
HT
6,58 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Stock limité
- 780 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,274 € | 5,48 € |
| 200 - 480 | 0,142 € | 2,84 € |
| 500 - 980 | 0,134 € | 2,68 € |
| 1000 - 1980 | 0,126 € | 2,52 € |
| 2000 + | 0,115 € | 2,30 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 725-9353
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-45-312
- Référence fabricant:
- IRLML2030TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2.7A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 100mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.3W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 1nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1.02mm | |
| Longueur | 3.04mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 1.4mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2.7A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 100mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.3W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 1nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1.02mm | ||
Longueur 3.04mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 1.4mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET Infineon série HEXFET, tension de source de drain maximale de 30 V, résistance de source de drain maximale de 100 mΩ - IRLML2030TRPBF
Ce MOSFET est un dispositif d'amélioration compact à canal N conçu pour la commutation à faible puissance dans les assemblages à montage en surface à petit facteur de forme. Il est destiné aux applications nécessitant une gestion de courant modérée et une capacité de blocage de 30 V, effectuant des tâches de commutation dans une large plage ambiante, des environnements froids aux environnements à haute température.
Caractéristiques et avantages :
• La faible résistance à l'état passant de 100 mΩ réduit les pertes de conduction et la chaleur
• La valeur nominale drain-source de 30 V permet une commutation à tension modérée
• Le courant de drain continu de 2,7 A prend en charge le fonctionnement à charge soutenue
• La faible charge de grille de 1 nC permet une commutation rapide et efficace
• La dissipation de puissance maximale de 1,3 W permet un budget thermique
• La résistance de la source de grille à 20 V fournit une marge d'entrée pour les pilotes
• La valeur nominale drain-source de 30 V permet une commutation à tension modérée
• Le courant de drain continu de 2,7 A prend en charge le fonctionnement à charge soutenue
• La faible charge de grille de 1 nC permet une commutation rapide et efficace
• La dissipation de puissance maximale de 1,3 W permet un budget thermique
• La résistance de la source de grille à 20 V fournit une marge d'entrée pour les pilotes
Applications
• Convient pour la protection des batteries et les circuits de commutation de charge
• Idéal pour les étapes de gestion de l'alimentation des appareils portables
• Utilisé avec les convertisseurs c.c.-c.c. dans les conceptions CMS de petite taille
• Peut être utilisé pour les drivers de LED et la commande de petits moteurs
• Convient à la commutation de niveau de signal dans l'électronique grand public
• Idéal pour les étapes de gestion de l'alimentation des appareils portables
• Utilisé avec les convertisseurs c.c.-c.c. dans les conceptions CMS de petite taille
• Peut être utilisé pour les drivers de LED et la commande de petits moteurs
• Convient à la commutation de niveau de signal dans l'électronique grand public
Dans quelle plage thermique peut-il fonctionner?
Il fonctionne de -55 °C à 150 °C, ce qui permet une utilisation dans des conditions ambiantes extrêmes.
Comment est-il conditionné pour l'assemblage de circuits imprimés?
Il est fourni dans un boîtier à montage en surface SOT-23 pour un placement de carte compact.
Quel est le rôle électrique du dispositif dans les conceptions de commutation?
Il agit comme un transistor de commutation basse tension, gérant le contrôle marche/arrêt tout en limitant les pertes de conduction grâce à son RDS(on) spécifié.
Quelle est l'encombrement des composants pour la planification de l'agencement?
Le dispositif mesure 3,04 x 1,4 x 1,02 mm, ce qui permet un emballage serré des composants sur les cartes CMS.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 2.7 A 30 V Enrichissement SOT-23 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 2.7 A 60 V Enrichissement SOT-23 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 1.2 A 20 V Enrichissement SOT-23 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 4.1 A 20 V Enrichissement SOT-23 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 5.8 A 25 V Enrichissement SOT-23 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 3.6 A 40 V Enrichissement SOT-23 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 3.4 A 30 V Enrichissement SOT-23 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 5 A 30 V Enrichissement SOT-23 HEXFET