MOSFET P Infineon 3.6 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 HEXFET
- Code commande RS:
- 725-9366
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-45-320
- Référence fabricant:
- IRLML9301TRPBF
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 725-9366
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-45-320
- Référence fabricant:
- IRLML9301TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 3.6A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 64mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 4.8nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.3W | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1.02mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 1.4mm | |
| Longueur | 3.04mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 3.6A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 64mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 4.8nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.3W | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1.02mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 1.4mm | ||
Longueur 3.04mm | ||
Standard automobile Non | ||
MOSFET Infineon de la série HEXFET, tension de source de drain maximale de 30V, courant de drain continu maximal de 3,6A - IRLML9301TRPBF
Ce semi-conducteur MOSFET est conçu pour une gestion efficace de l'énergie dans diverses applications électroniques. Il est conçu pour un montage en surface (SOT-23) afin de faciliter son intégration dans des circuits électroniques compacts. Le composant fonctionne efficacement avec un courant de drain continu maximum de 3,6A et peut supporter une tension drain-source maximum de 30V.
Caractéristiques et avantages
• La configuration du mode d'amélioration permet un fonctionnement efficace
• Une tension de seuil élevée améliore la fiabilité
• Meilleure résistance thermique
• Optimisé pour les valeurs nominales de courant de vidange, ce qui accroît la fiabilité des performances
Applications
• Utilisé pour la gestion de l'énergie dans les gadgets portables
• Idéal pour les systèmes de contrôle de l'automatisation
• Utilisé dans les amplificateurs audio et les processeurs de signaux
• Convient aux convertisseurs DC-DC dans les systèmes d'énergie renouvelable
• Convient parfaitement à l'entraînement des moteurs dans les robots
Quel est l'impact de la faible valeur de la résistance à l'enclenchement sur la performance ?
La faible résistance à l'enclenchement de 64mΩ permet de réduire la production de chaleur pendant le fonctionnement, ce qui améliore l'efficacité globale et prolonge la durée de vie des composants dans les applications à courant élevé.
Quels sont les avantages du mode d'amélioration pour la conception de circuits ?
Le mode d'amélioration permet au MOSFET de rester éteint jusqu'à ce qu'une tension de grille spécifique soit atteinte, fournissant un contrôle de commutation fiable adapté à diverses conceptions électroniques sans perte de puissance inutile.
Ce composant peut-il supporter des températures élevées ?
Oui, il est conçu pour fonctionner de manière fiable à des températures allant jusqu'à +150°C, ce qui le rend adapté aux applications exposées à des environnements difficiles ou à une utilisation intensive.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET P Infineon 3.6 A 30 V Enrichissement SOT-23 HEXFET
- MOSFET N Infineon 3.6 A 40 V Enrichissement SOT-23 HEXFET
- MOSFET P Infineon 760 mA 30 V Enrichissement SOT-23 HEXFET
- MOSFET P Infineon 2.6 A 20 V Enrichissement SOT-23 HEXFET
- MOSFET P Infineon 2.3 A 30 V Enrichissement SOT-23 HEXFET
- MOSFET P Infineon 4.3 A 20 V Enrichissement SOT-23 HEXFET
- MOSFET P Infineon 3 A 30 V Enrichissement SOT-23 HEXFET
- MOSFET P Infineon -3.6 A -30 V Enrichissement SOIC HEXFET