MOSFET P Infineon 2.6 A 20 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 HEXFET
- Code commande RS:
- 760-4432
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-45-315
- Référence fabricant:
- IRLML2246TRPBF
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,272 € | 1,36 € |
| 50 - 245 | 0,26 € | 1,30 € |
| 250 - 495 | 0,248 € | 1,24 € |
| 500 - 1245 | 0,232 € | 1,16 € |
| 1250 + | 0,22 € | 1,10 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 760-4432
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-45-315
- Référence fabricant:
- IRLML2246TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2.6A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 236mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.3W | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 3.04mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.02mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2.6A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 236mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 2.9nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.3W | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 3.04mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.02mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance à canal P de 12 à 20 V, Infineon
La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal P dans des boîtiers à montage en surface et câblés et des facteurs de forme capables de faire face à pratiquement toutes les dispositions de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.
Transistors MOSFET, Infineon
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