MOSFET Infineon canal P, SOT-23 760 mA 30 V, 3 broches

Code commande RS:: 302-038
Référence fabricant:: IRLML5103TRPBF
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon canal P, SOT-23 760 mA 30 V, 3 broches

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Code commande RS:: 302-038
Référence fabricant:: IRLML5103TRPBF
Marque:: Infineon

Datasheet

Transistor MOSFET de puissance à canal P 30 V, Infineon

La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal P dans des boîtiers à montage en surface et câblés et des facteurs de forme capables de faire face à pratiquement toutes les dispositions de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.

MOSFET Infineon de la série HEXFET, courant de vidange continu maximal de 760mA, dissipation de puissance maximale de 540 mW - IRLML5103TRPBF

Ce MOSFET est un composant électronique polyvalent adapté aux applications de commutation de puissance efficaces. Il est conçu pour être utilisé dans les secteurs de l'automatisation, de l'électronique et de la mécanique, offrant une solution compacte pour des tâches de haute performance. Son mode canal amélioré améliore l'efficacité opérationnelle, ce qui en fait un choix populaire dans les applications qui requièrent une fonctionnalité MOSFET fiable.

Caractéristiques et avantages

• Boîtier compact SOT-23 adapté aux conceptions à espace limité
• Courant de vidange continu élevé de 760 mA pour une meilleure durabilité
• Tension drain-source maximale de 30 V pour une gamme d'applications
• Le faible Rds(on) de 600mΩ minimise la perte de puissance et augmente l'efficacité
• La charge de grille typique de 3,4nC réduit les pertes de commutation

Applications

• Utilisé dans les solutions de gestion et de conversion de l'énergie
• Convient aux installations d'automatisation industrielle
• Idéal pour les alimentations à découpage
• Soutien aux systèmes de gestion des batteries dans les appareils électroniques
• Employé dans le contrôle des moteurs qui nécessitent une commutation de puissance efficace

Comment le MOSFET se comporte-t-il dans des environnements à haute température ?

Il fonctionne efficacement à des températures allant jusqu'à +150°C, garantissant des performances constantes dans des conditions difficiles.

Quelle est la signification de la faible valeur de Rds(on) ?

Un faible Rds(on) de 600mΩ réduit la perte d'énergie pendant le fonctionnement, améliorant ainsi l'efficacité globale du système.

Ce MOSFET peut-il être utilisé dans des conceptions compactes ?

Oui, le boîtier SOT-23 permet l'intégration dans des applications compactes sans compromettre les performances.

Quelle est la tension de source maximale que ce dispositif peut supporter ?

Il peut tolérer une tension maximale de source de grille de ±20V, ce qui garantit un fonctionnement sûr dans les limites spécifiées.

Comment l'installation doit-elle être abordée pour une performance optimale ?

Une manipulation et une disposition correctes sur le circuit imprimé sont essentielles pour assurer une gestion thermique et une connectivité adéquates afin d'obtenir des résultats optimaux.

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

Attribut	Valeur
Type de canal	P
Courant continu de Drain maximum	760 mA
Tension Drain Source maximum	30 V
Série	HEXFET
Type de boîtier	SOT-23
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	600 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	1V
Tension de seuil minimale de la grille	1V
Dissipation de puissance maximum	540 mW
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Largeur	1.4mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Longueur	3.04mm
Matériau du transistor	Si
Charge de Grille type @ Vgs	3.4 nC @ 10 V
Tension directe de la diode	1.2V
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	1.02mm