MOSFET P Infineon 760 mA 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 HEXFET

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Code commande RS:
302-038
Numéro d'article Distrelec:
304-36-996
Référence fabricant:
IRLML5103TRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

760mA

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

HEXFET

Type de Boitier

SOT-23

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

600mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

-1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

3.4nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Dissipation de puissance maximum Pd

540mW

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1.02mm

Largeur

1.4mm

Longueur

3.04mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

MOSFET Infineon de la série HEXFET, courant de vidange continu maximal de 760mA, dissipation de puissance maximale de 540 mW - IRLML5103TRPBF


Ce MOSFET est un composant électronique polyvalent adapté aux applications de commutation de puissance efficaces. Il est conçu pour être utilisé dans les secteurs de l'automatisation, de l'électronique et de la mécanique, offrant une solution compacte pour des tâches de haute performance. Son mode canal amélioré améliore l'efficacité opérationnelle, ce qui en fait un choix populaire dans les applications qui requièrent une fonctionnalité MOSFET fiable.

Caractéristiques et avantages


• Boîtier compact SOT-23 adapté aux conceptions à espace limité

• Courant de vidange continu élevé de 760 mA pour une meilleure durabilité

• Tension drain-source maximale de 30 V pour une gamme d'applications

• Le faible Rds(on) de 600mΩ minimise la perte de puissance et augmente l'efficacité

• La charge de grille typique de 3,4nC réduit les pertes de commutation

Applications


• Utilisé dans les solutions de gestion et de conversion de l'énergie

• Convient aux installations d'automatisation industrielle

• Idéal pour les alimentations à découpage

• Soutien aux systèmes de gestion des batteries dans les appareils électroniques

• Employé dans le contrôle des moteurs qui nécessitent une commutation de puissance efficace

Comment le MOSFET se comporte-t-il dans des environnements à haute température ?


Il fonctionne efficacement à des températures allant jusqu'à +150°C, garantissant des performances constantes dans des conditions difficiles.

Quelle est la signification de la faible valeur de Rds(on) ?


Un faible Rds(on) de 600mΩ réduit la perte d'énergie pendant le fonctionnement, améliorant ainsi l'efficacité globale du système.

Ce MOSFET peut-il être utilisé dans des conceptions compactes ?


Oui, le boîtier SOT-23 permet l'intégration dans des applications compactes sans compromettre les performances.

Quelle est la tension de source maximale que ce dispositif peut supporter ?


Il peut tolérer une tension maximale de source de grille de ±20V, ce qui garantit un fonctionnement sûr dans les limites spécifiées.

Comment l'installation doit-elle être abordée pour une performance optimale ?


Une manipulation et une disposition correctes sur le circuit imprimé sont essentielles pour assurer une gestion thermique et une connectivité adéquates afin d'obtenir des résultats optimaux.

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