MOSFET P Infineon 1.5 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 OptiMOS P AEC-Q101
- Code commande RS:
- 165-8258
- Référence fabricant:
- BSS314PEH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 bobine de 3000 unités)*
246,00 €
HT
294,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 3 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 12 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,082 € | 246,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,078 € | 234,00 € |
| 15000 + | 0,073 € | 219,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 165-8258
- Référence fabricant:
- BSS314PEH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 1.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | OptiMOS P | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 230mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500mW | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | -1.1V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1.3mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 0.1mm | |
| Longueur | 2.9mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 1.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série OptiMOS P | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 230mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500mW | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf -1.1V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 2.9nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1.3mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 0.1mm | ||
Longueur 2.9mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET OptiMOS série P d'Infineon, tension de source de drain maximale de 30 V, courant de drain continu maximal de 1,5 A - BSS314PEH6327XTSA1
Ce MOSFET à canal p sert de dispositif de commutation compact à montage en surface pour la commande de puissance basse tension dans l'électronique automobile et industrielle. Conçu pour un fonctionnement en mode d'amélioration, il offre une conduction contrôlée pour les tâches de commutation de chemin de puissance et de charge sur une large plage de températures, ce qui le rend adapté aux environnements thermiques exigeants.
Caractéristiques et avantages :
• La capacité de drain de 30 V permet la commutation de système basse tension
• La valeur Rds(on) de 230 mΩ assure une conduction efficace pour les petites charges
• Le courant de drain continu de 1,5 A prend en charge les voies de courant modéré
• La charge de grille typique de 2,9 nC réduit les pertes d'énergie de commutation
• La valeur nominale maximale grille-source de 20 V permet des marges d'entraînement de grille flexibles
• La qualification AEC-Q101 automobile est adaptée aux applications de qualité automobile
• La valeur Rds(on) de 230 mΩ assure une conduction efficace pour les petites charges
• Le courant de drain continu de 1,5 A prend en charge les voies de courant modéré
• La charge de grille typique de 2,9 nC réduit les pertes d'énergie de commutation
• La valeur nominale maximale grille-source de 20 V permet des marges d'entraînement de grille flexibles
• La qualification AEC-Q101 automobile est adaptée aux applications de qualité automobile
Applications
• Convient aux circuits de gestion et de protection des batteries
• Idéal pour la commutation de charge dans les modules de commande automobiles
• Utilisé avec les rails d'alimentation dans l'électronique portable et portable
• Peut être utilisé pour la commutation d'alimentation à faible signal dans les nœuds de capteur
• Convient aux conceptions à montage en surface où l'espace sur la carte est limité
• Idéal pour la commutation de charge dans les modules de commande automobiles
• Utilisé avec les rails d'alimentation dans l'électronique portable et portable
• Peut être utilisé pour la commutation d'alimentation à faible signal dans les nœuds de capteur
• Convient aux conceptions à montage en surface où l'espace sur la carte est limité
Quelles sont les extrêmes thermiques qu'il peut tolérer pendant son fonctionnement?
Il est spécifié pour fonctionner de -55 °C à 150 °C, ce qui permet une utilisation dans les environnements à large variation de température.
Comment le boîtier influence-t-il l'intégration au niveau de la carte?
Le format à montage en surface SOT-23 permet un placement compact et un assemblage automatisé sur des cartes densément peuplées.
Quelles sont les contraintes de gestion de la puissance que les concepteurs doivent prendre en compte?
Le dispositif dissipe jusqu'à 500 mW, de sorte que le cuivre du circuit imprimé et la disposition thermique adéquats sont nécessaires pour gérer la température de jonction sous charge continue.
Quelle limite électrique régit la sélection de l'entraînement de grille?
Les tensions d'entraînement doivent rester à ±20 V par rapport à la source pour éviter les surtensions de grille et garantir une commutation fiable.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET P Infineon 1.5 A 30 V Enrichissement SOT-23 OptiMOS P AEC-Q101
- MOSFET P Infineon 1.18 A 20 V Enrichissement SOT-23 OptiMOS P AEC-Q101
- MOSFET P Infineon 1.6 A 30 V Enrichissement SOT-23 OptiMOS P AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 540 mA 55 V Enrichissement SOT-23 OptiMOS AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 190 mA 100 V Enrichissement SOT-23 OptiMOS AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 1.4 A 30 V Enrichissement SOT-23 OptiMOS 2 AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 2.5 A 20 V Enrichissement SOT-23 OptiMOS 2 AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 2.3 A 20 V Enrichissement SOT-23 OptiMOS 2 AEC-Q101