MOSFET P Infineon 3 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 HEXFET
- Code commande RS:
- 913-4705
- Référence fabricant:
- IRLML5203TRPBF
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 913-4705
- Référence fabricant:
- IRLML5203TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 3A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 165mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.25W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 9.5nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 1.4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 3.04mm | |
| Hauteur | 1.02mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 3A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 165mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.25W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 9.5nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 1.4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 3.04mm | ||
Hauteur 1.02mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MX
Infineon HEXFET Series MOSFET, 3A Maximum Continuous Drain Current, 30V Maximum Drain Source Voltage - IRLML5203TRPBF
Ce MOSFET est un dispositif de puissance à haute performance qui convient à une série d'applications dans le secteur de l'électronique. En boîtier compact SOT-23, ce composant à canal P offre une efficacité significative avec un courant de drain continu maximum de 3A et une tension drain-source de 30V. Avec des dimensions de 3,04 mm de longueur, 1,4 mm de largeur et 1,02 mm de hauteur, il est bien adapté aux conceptions à espace limité.
Caractéristiques et avantages
• Capable d'une tension drain-source de 30V pour une utilisation polyvalente
• Conçue pour un montage en surface afin de simplifier la conception des circuits imprimés
• Fonctionne dans une plage de température allant de -55°C à +150°C
• Utilise le mode d'amélioration pour des performances de commutation fiables
Applications
• Utilisé dans les systèmes de gestion des batteries pour des performances optimales
• Utilisé dans les appareils électroniques portables en raison de son faible encombrement
• Appliqué dans les solutions de gestion de la charge sur différents appareils
• Convient aux systèmes de contrôle d'automatisation avancés
Quelle est la signification de la faible valeur de Rds(on) dans ce dispositif ?
Le faible Rds(on) permet de réduire la perte de puissance pendant le fonctionnement, ce qui améliore l'efficacité globale et maintient des niveaux thermiques plus bas dans les applications.
Quel est l'impact de la capacité de dissipation d'énergie sur les performances de l'appareil ?
La capacité de dissiper jusqu'à 1,25 W permet une gestion efficace de la chaleur, ce qui garantit un fonctionnement fiable de l'appareil, même dans des conditions de charge maximale, sans défaillance thermique.
Quels sont les facteurs qui influencent la sélection de ce MOSFET pour une application spécifique ?
Des facteurs tels que le courant d'écoulement continu maximal, les tensions nominales et les caractéristiques thermiques doivent être pris en compte pour garantir la compatibilité avec les exigences du circuit et les performances attendues.
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