MOSFET P Infineon 4.3 A 20 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 HEXFET

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Code commande RS:
760-4438
Numéro d'article Distrelec:
304-45-314
Référence fabricant:
IRLML2244TRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

4.3A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

SOT-23

Série

HEXFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

95mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-12V, +12V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

6.9nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

1.3W

Tension directe Vf

-1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

3.04mm

Normes/homologations

No

Hauteur

1.02mm

Largeur

1.4mm

Standard automobile

Non

MOSFET Infineon de la série HEXFET, courant de drain continu maximal de 4,3A, tension de source de drain maximale de 20V - IRLML2244TRPBF


Ce MOSFET est conçu pour des performances robustes dans un boîtier compact SOT-23. Avec un courant de drain continu maximum de 4,3A et une tension drain-source de 20V, il convient à diverses applications dans les secteurs de l'automatisation, de l'électronique et de l'électricité. L'appareil fonctionne en mode d'amélioration et offre des performances fiables dans des environnements à haute température, conservant sa fonctionnalité à des températures allant jusqu'à +150°C.

Caractéristiques et avantages


• Le faible RDS(on) de 54mΩ minimise les pertes de commutation

• Compatible avec le brochage standard de l'industrie pour une intégration facile

• Haute fiabilité avec une dissipation de puissance maximale de 1,3 W

• Plage de température étroite pour une efficacité opérationnelle optimale

• La réduction de la charge de grille améliore l'efficacité globale

Applications


• Idéal pour les commutations à basse tension dans l'électronique

• Convient à la gestion de l'énergie dans les convertisseurs DC-DC

• Utilisé dans les systèmes de commande de moteurs pour les équipements d'automatisation

• Utilisé dans les circuits d'alimentation électrique pour une meilleure gestion de l'énergie

Quelle est la signification du faible RDS(on) dans ce composant ?


Le faible RDS(on) réduit considérablement les pertes de puissance pendant le fonctionnement, ce qui permet d'améliorer l'efficacité et les performances, en particulier dans les applications de commutation.

En quoi la plage de température de fonctionnement est-elle utile à la conception des circuits ?


La plage de température de fonctionnement de -55°C à +150°C permet une polyvalence dans les applications, permettant au MOSFET de fonctionner de manière fiable dans divers environnements de fonctionnement, du froid extrême à la chaleur élevée.

Qu'est-ce qui fait que ce dispositif est adapté à la technologie de montage en surface ?


Le boîtier compact SOT-23 et le brochage compatible facilitent l'intégration dans les circuits imprimés, améliorant ainsi l'efficacité de la fabrication et permettant une production de masse.

Ce MOSFET peut-il être utilisé dans des applications automobiles ?


En effet, en raison de sa résistance thermique élevée et de sa fiabilité à des températures élevées, il convient aux applications automobiles où la dissipation de la chaleur est essentielle.

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