MOSFET N Infineon 2.7 A 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 HEXFET
- Code commande RS:
- 725-9341
- Référence fabricant:
- IRLML0060TRPBF
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,232 € | 4,64 € |
| 200 - 480 | 0,174 € | 3,48 € |
| 500 - 980 | 0,162 € | 3,24 € |
| 1000 - 1980 | 0,151 € | 3,02 € |
| 2000 + | 0,139 € | 2,78 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 725-9341
- Référence fabricant:
- IRLML0060TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2.7A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 92mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 2.5nC | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.25W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.02mm | |
| Longueur | 3.04mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2.7A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 92mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 2.5nC | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.25W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.02mm | ||
Longueur 3.04mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance à canal N 60 à 80 V, Infineon
La gamme de transistors MOSFET de puissance discrets HEXFET®, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés. Elle comprend également des facteurs de forme capables de s'adapter à toutes les configurations de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.
Transistors MOSFET, Infineon
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